Sk hynix एक 1znm 16gb (गीगाबिट) ddr4 मेमोरी विकसित करता है

SK hynix ने घोषणा की है कि उसने एक नया 1Znm 16Gb (गिगाबिट्स) DDR4 मेमोरी विकसित किया है। 1Znm मौजूदा DDR4 DRAM मॉड्यूल के लिए उपलब्ध उद्योग के उच्चतम घनत्व और प्रति वेफर की कुल क्षमता की पेशकश करेगा।

SK hynix 1Znm 16Gb DDR4 मेमोरी (गीगाबिट्स) विकसित करता है

कंपनी का दावा है कि नई 1Znm मेमोरी मॉड्यूल की उत्पादकता पिछली पीढ़ी 1Ynm लाइन की तुलना में लगभग 27% बेहतर हुई है । हालांकि, विनिर्माण प्रक्रिया को एक अत्यधिक चरम पराबैंगनी लिथियम (EUV) की आवश्यकता नहीं होती है, जिससे 1Znm उत्पादन पहले से कहीं अधिक लाभदायक हो जाता है।

SK hynix 1Znm मेमोरी 3200Mbps तक की डेटा ट्रांसफर दरों का समर्थन करती है, जो DDR3 इंटरफ़ेस की सबसे तेज़ डेटा प्रोसेसिंग गति है। नए 1Znm मेमोरी मॉड्यूल ने ऊर्जा दक्षता में वृद्धि की है, इस प्रकार पिछले 1ynnm 8Gb DRAM के समान घनत्व के मॉड्यूल की तुलना में बिजली की खपत को लगभग 40% कम कर दिया है।

विनिर्माण प्रक्रिया में एक नया पदार्थ लागू किया गया है, जिसका उपयोग पिछली पीढ़ी में नहीं किया गया है, जो 1Znm उत्पाद की समाई को अधिकतम करता है। कैपेसिटेंस विद्युत चार्ज की मात्रा है जो एक संधारित्र स्टोर कर सकता है, जो DRAM ऑपरेशन में एक प्रमुख तत्व है। परिचालन स्थिरता को बढ़ाने के लिए एक नई डिजाइन भी शुरू की गई है।

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SK hynix में अगली पीढ़ी के पोर्टेबल LPDDR5 DRAM और HBM3 सहित अनुप्रयोगों की एक सीमा तक 1Znm प्रौद्योगिकी प्रक्रिया का विस्तार करने की योजना है, जो भविष्य में सबसे तेज़ DRAM होगा।

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