तोशिबा प्रति सेल पहले 4-बिट नंद qlc मेमोरी विकसित करता है

NAND मेमोरी निर्माण में विश्व के अग्रणी में से एक Toshiba ने आज अपनी नई NAND QLC मेमोरी तकनीक की घोषणा की, जो टीएलसी द्वारा उचित मूल्य पर उच्च क्षमता वाले उपकरणों की नई पीढ़ी के लिए उच्च भंडारण घनत्व के साथ है।

तोशिबा में पहले से ही दुनिया की पहली NAND QLC मेमोरी है

तोशिबा की नई बीसीएसएस फ्लैश 3 डी मेमोरी QLC तकनीक पर बनी है, जो दुनिया की पहली 3 डी मेमोरी बन गई है, जो कुल 4 बिट्स प्रति सेल को स्टोर करने में सक्षम है। ये नए चिप्स 768 गीगाबिट की क्षमता प्रदान करते हैं, जो मौजूदा टीएलसी यादों के साथ हासिल किए गए 512 गीगाबिट से काफी अधिक है।

हम टीएलसी बनाम एमएलसी यादों के साथ एसएसडी पढ़ने की सलाह देते हैं

तोशिबा की नई क्यूएलसी बीसीएसएस फ्लैश मेमोरी 768 गीगाबिट की प्रति मरने की क्षमता प्राप्त करने के लिए 64-लेयर डिज़ाइन में बनाई गई है, जो 96 गीगाबाइट के बराबर है और 1.5 जीबी से कम क्षमता वाले उपकरणों को उपयोग के साथ पेश करने की अनुमति देता है। एक पैकेज में 16 की मौत हो जाती है । इसके साथ तोशिबा फ्लैश स्टोरेज घनत्व में अग्रणी कंपनी बन जाती है।

तोशिबा की नई QLC मेमोरी के पहले नमूनों की शिपमेंट इस जून से शुरू होगी ताकि SSD निर्माताओं और उनके नियंत्रकों को जल्द से जल्द शुरू किया जा सके। पहला नमूना फ्लैश मेमोरी समिट कार्यक्रम में भी दिखाया जाएगा जो सांता क्लारा में 7-10 अगस्त के बीच होगा।

हम देखेंगे कि एसएसडी की कीमतों में एक महत्वपूर्ण नई गिरावट के साथ क्यूएलसी की यादों का आगमन हो रहा है, जो महीनों से स्मार्टफोन निर्माताओं द्वारा नंद मेमोरी चिप्स की उच्च मांग को देखते हुए नहीं बढ़ रहा है।

स्रोत: टेकपावर