पश्चिमी डिजिटल ऑप्टेन के साथ प्रतिस्पर्धा करने के लिए फ्लैश मेमोरी विकसित करता है

वेस्टर्न डिजिटल अपने स्वयं के 'लो लेटेंसी' फ्लैश मेमोरी पर काम कर रहा है जो पारंपरिक 3 डी नंद की तुलना में उच्च प्रदर्शन और धीरज की पेशकश करेगा, अंततः इंटेल ऑप्टाने के साथ प्रतिस्पर्धा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।

एलएलएफ तकनीक के साथ वेस्टर्न डिजिटल की नई मेमोरी Z-NAND और Optane को टक्कर देगी

इस सप्ताह के 'स्टोरेज फील्ड डे' कार्यक्रम में , पश्चिमी डिजिटल ने वर्तमान में विकास में अपनी नई कम विलंबता स्मृति पर चर्चा की। यह तकनीक इंटेल के ऑप्टेन और सैमसंग के जेड-नंद के समान 3 डी नंद और पारंपरिक डीआरएएम के बीच कहीं फिट होने के लिए है । वेस्टर्न डिजिटल के अनुसार, आपकी एलएलएफ मेमोरी का एक्सेस समय "माइक्रोसेकंड रेंज में" होगा, प्रति सेल 1 बिट और 2 बिट प्रति सेल आर्किटेक्चर का उपयोग करना।

निर्माता स्वीकार करता है कि इसकी नई एलएलएफ मेमोरी की लागत DRAM से 10 गुना कम होगी, लेकिन प्रति जीबी की कीमतों के मामले में 3 डी नंद मेमोरी (वर्तमान अनुमान के अनुसार कम से कम 20 गुना) से अधिक है, इसलिए यह संभावना है कि यह केवल इसका उपयोग करेगा उच्च-अंत डेटा केंद्रों या कार्यस्थानों के उद्देश्य से उन अनुप्रयोगों का चयन करें, जो ऑप्टेन और जेड-एनएएनडी पहले से ही पेश कर रहे हैं।

पश्चिमी डिजिटल इसकी कम-विलंबता फ्लैश मेमोरी के बारे में सभी विवरणों को प्रकट नहीं करता है और यह कहना असंभव है कि पिछले साल घोषित तोशिबा के कम-विलंबता 3 डी एक्सएल-फ्लैश नंद के साथ इसका क्या संबंध है। स्वाभाविक रूप से, कंपनी अपने एलएलएफ मेमोरी के आधार पर वास्तविक उत्पादों के बारे में बात करने के लिए अनिच्छुक है, या जब वे उपलब्ध होंगे। उपरोक्त लागतों के कारण, यह कल्पना करना मुश्किल है कि ये नई यादें अल्पावधि में सामान्य उपयोगकर्ता तक पहुंचती हैं।

आनंदटेक फ़ॉन्ट