सैमसंग ने अपनी नई यादों की घोषणा की v

एसएसडी स्टोरेज तकनीक में विशाल स्तर पर सुधार जारी है और वी-नंद की पांचवीं पीढ़ी की घोषणा करते हुए, सैमसंग नवाचार में सबसे आगे है, जो अपेक्षाकृत कुछ अन्य डिजाइन परिवर्तनों के साथ परतों की संख्या को बढ़ाकर 96 कर देगा। पांचवीं पीढ़ी में सैमसंग का पहला QLC NAND फ्लैश (प्रति सेल चार बिट) शामिल होगा, जिसकी मृत्यु के बाद 1TB (128 जीबी) की क्षमता होगी।

96-परत V-NAND यादें: अधिक भंडारण, स्थायित्व और कम खपत

पिछले साल, सैमसंग ने 64-परत डिज़ाइन के साथ 3 डी नंद की चौथी पीढ़ी की घोषणा की थी। वी-नंद की यह चौथी पीढ़ी अब उत्पादन में है और आने वाले महीनों में कई उत्पादों में इसका उपयोग किया जाएगा। अधिकांश उत्पाद 256GB या 512GB TLC सरणियों का उपयोग करेंगे। तीसरी पीढ़ी के 48-लेयर V-NAND की तुलना में, 64-लेयर V-NAND समान रीड परफॉर्मेंस प्रदान करता है, लेकिन लगभग 11% अधिक लेखन प्रदर्शन।

बिजली की खपत में 'महत्वपूर्ण रूप से सुधार' हुआ है, एक रीड ऑपरेशन के लिए वर्तमान में 12% की कमी और एक कार्यक्रम के संचालन के लिए आवश्यक बिजली की खपत में 25% की कमी आई है। सैमसंग का दावा है कि टीएलसी कॉन्फ़िगरेशन में उसका 64-लेयर V-NAND 7, 000 से 20, 000 प्रोग्राम / इरेज़ साइकिल तक हो सकता है, इसलिए इस नई 96-लेयर मेमोरी के साथ, यूनिट्स का जीवनकाल लंबा होगा।

सैमसंग की पिछली V-NAND तकनीकों पर आधारित SSD की घोषणा में 2.5 B 128TB QLC- आधारित एसएएस एसएसडी शामिल है। इस इकाई के लिए, सैमसंग प्रत्येक बीजीए डिवाइस पर कुल 4TB के लिए प्रति पैकेज 32 मैट्रिसेस को स्टैक करेगा।

यह निकट भविष्य में चुंबकीय भंडारण ड्राइव को रिटायर करने के लिए एक नया कदम है।

स्रोत: आनंदटेक