सैमसंग ने अपनी नई इमराम यादों का उत्पादन शुरू किया

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने आज घोषणा की कि उसने 28-नैनोमीटर विनिर्माण प्रक्रिया (एफडी-एसओआई) का उपयोग करके अपनी नई ईएमआरएएम यादों के धारावाहिक उत्पादन की शुरुआत की है।

सैमसंग की ईएमआरएएम यादें उद्योग में क्रांति लाने का वादा करती हैं

एमआरएएम मेमोरी कई वर्षों से विकास में है और यह गैर-वाष्पशील चुंबकीय रैम है, जिसका अर्थ है कि यह डेटा नहीं खोता है जब इसकी कोई शक्ति नहीं होती है, जैसा कि आज सामान्य रैम के साथ होता है।

सैमसंग का 28FDS- आधारित ईएमआरएएम समाधान कम कीमत पर अभूतपूर्व बिजली और गति लाभ प्रदान करता है। चूंकि डेटा लिखने से पहले eMRAM को एक स्पष्ट चक्र की आवश्यकता नहीं होती है, इसलिए इसकी लेखन गति eFlash की तुलना में लगभग एक हजार गुना तेज है। इसके अतिरिक्त, ईएमआरएएम फ्लैश मेमोरी की तुलना में कम वोल्टेज का उपयोग करता है, और ऑफ मोड में होने पर विद्युत शक्ति का उपभोग नहीं करता है, जिसके परिणामस्वरूप उच्च ऊर्जा दक्षता होती है।

रैम और फ्लैश मेमोरी जैसे आजकल उपयोग की जाने वाली यादों के फायदे क्रांतिकारी हैं, 1ns, उच्च गति और अधिक प्रतिरोध की विलंबता के साथ। ईएमआरएएम यादों को वर्तमान रैम और फ्लैश नंद यादों को बदलने के लिए डिज़ाइन किया गया था, हालांकि इसके लिए हमें थोड़ा इंतजार करना होगा।

ऐसा कहा जाता है कि सैमसंग द्वारा बनाए गए पहले मॉड्यूल में बहुत सीमित क्षमता होगी। कोरियाई कंपनी अपने द्वारा निर्मित मॉड्यूल के बारे में बहुत अधिक विवरण नहीं देना चाहती है, लेकिन इरादा 2019 के अंत से पहले 1 जीबी मॉड्यूल का परीक्षण शुरू करना है। बाद में, सैमसंग ने अपने 18FDS प्रक्रिया का उपयोग करके eMRAM बनाने की योजना बनाई है, साथ ही साथ नोड्स भी। अधिक उन्नत FinFETs पर आधारित है।

यह कंप्यूटर भंडारण के लिए एक नए युग का जन्म हो सकता है। हम इसके विकास का अनुसरण करेंगे।

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