सैमसंग अपनी यादों का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करता है v

मेमोरी चिप निर्माण में विश्व के अग्रणी सैमसंग ने घोषणा की है कि उसने अपनी नई 64-परत V-NAND तकनीक का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है, जो प्रति चिप 256 Gb के घनत्व तक पहुँचता है, जिससे उच्चतर पीढ़ी के उपकरणों को सक्षम किया जा सके। भंडारण क्षमता।

सैमसंग से नई 64-लेयर वी-नंद यादें

सैमसंग ने पहले ही जनवरी में अपने नए 64-लेयर, 256Gb V-NAND चिप्स का निर्माण शुरू कर दिया था, तब से यह उपयोगकर्ताओं को बड़ी भंडारण क्षमता के साथ नई पीढ़ी के उपकरणों की पेशकश करने के लिए काम कर रहा है, इसमें स्मार्टफोन, SSDs और UFS यादें शामिल हैं। एकीकृत। नया कदम इस नई मेमोरी तकनीक का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करना है जो साल के अंत तक अपने मासिक उत्पादन का 50% कवर करेगा ।

सैमसंग गैलेक्सी S8 खरीदने के 5 कारण

सैमसंग की नई 64-लेयर वी-एनएएनडी मेमोरी में 1 जीबीपीएस की ट्रांसफर दर है, जिससे यह बाजार में सबसे तेजी से उपलब्ध है। इसकी सबसे उल्लेखनीय विशेषताएं सिर्फ 500 माइक्रो-सेकंड के पृष्ठ प्रोग्रामिंग समय के साथ जारी हैं, यह इस संबंध में बाजार में सबसे तेज और कंपनी की पिछली 48-परत मेमोरी की तुलना में 1.5 गुना तेज है। ये प्रदर्शन आंकड़े इसकी पिछली 48-लेयर मेमोरी की तुलना में 30% की उत्पादकता लाभ के लिए अनुवाद करते हैं।

हम ऊर्जा दक्षता के साथ जारी रखते हैं और यह है कि नए चिप्स को 2.5V के इनपुट वोल्टेज की आवश्यकता होती है , जो पिछली 48-लेयर मेमोरी से 30% कम है, इसलिए ऊर्जा दक्षता बेहतर होगी और मोबाइल उपकरणों की बैटरी खपत एकीकरण कम होगा। नए मेमोरी चिप्स की विश्वसनीयता में भी 20% सुधार हुआ है । इन सभी सुधारों को दक्षिण कोरियाई कंपनी द्वारा उपयोग की जाने वाली उन्नत V-NAND निर्माण प्रक्रिया में कई बदलावों द्वारा संभव किया गया है।

यह सब संभव-डिजाइन प्राप्त करने के लिए वी-नंद मेमोरी की संरचना में 15 साल की जांच और 500 से अधिक पेटेंट का परिणाम है। सैमसंग ने अपनी मेमोरी तकनीक में सुधार जारी रखने के लिए नींव रखी है, अगला कदम 1 टीबी की क्षमता के साथ 90-लेयर चिप्स है ।

स्रोत: सैमसंग