Used नंद यादें: यह क्या है और वे किसके लिए उपयोग की जाती हैं?
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विषयसूची:
- तर्क में एक व्यायाम
- सभी प्रकार की स्थितियों के लिए एक प्रकार की मेमोरी
- ऊर्ध्वाधर नंद और 3 डी-नंद
- नंद यादों के विभिन्न अनुप्रयोग
यदि आप एक नियमित व्यावसायिक समीक्षा पाठक हैं, तो " NAND " नाम शायद आपके लिए अजीब नहीं है। भंडारण संबंधी प्रविष्टियों में लगभग हमेशा; किसी भी और आगे जाने के बिना, फ्लैश ड्राइव पर हमारी अंतिम प्रविष्टि में हमने इस नाम का उल्लेख किया, जो कि, हमारे द्वारा, हमें थोड़ा बता सकता है। आज हम इस बात पर थोड़ा प्रकाश डालना चाहते हैं कि नंद की यादें क्या हैं और उनका उपयोग किस लिए किया जाता है ।
सूचकांक को शामिल करता है
तर्क में एक व्यायाम
नंद तर्क द्वार
तकनीकी रूप से, एक नंद एक तार्किक द्वार को संदर्भित करता है; विशेष रूप से एक जो कम आउटपुट पैदा करता है (0) जब बाकी आउटपुट हाई (1) होते हैं। यह गुण ऐसे लॉजिक गेट्स के संयोजन का उपयोग करके किसी भी प्रकार के बुनियादी बाइनरी ऑपरेशन को करने की अनुमति देता है। एक संपत्ति जो NOR फाटकों के साथ साझा करती है। लेकिन यह वह अर्थ नहीं है जो हम इस पाठ के संदर्भ में चाहते हैं।
छवि: विकिमीडिया कॉमन्स; Cyferz
जब हम अपने उपकरणों के भंडारण इकाइयों का जिक्र करते हुए नंद के बारे में बात करते हैं, तो हम नंद यादों के बारे में बात कर रहे हैं। NAND (या NAND फ़्लैश ) यादें एक प्रकार की गैर-वाष्पशील मेमोरी होती हैं, जिसमें डेटा स्टोर करने के लिए पावर की आवश्यकता नहीं होती है। NOR फ्लैश के मामले में, इसे इसका नाम मिलता है क्योंकि जिस तरह से इसके ट्रांजिस्टर वितरित किए जाते हैं, वह उस तार्किक गेट की याद दिलाता है जिसके साथ यह एक नाम साझा करता है।
सभी प्रकार की स्थितियों के लिए एक प्रकार की मेमोरी
नंद यादों में संग्रहीत डेटा को विभिन्न कोशिकाओं में संग्रहीत किया जाता है और विद्युत शुल्क द्वारा दर्शाया जाता है; ये कोशिकाएँ नियंत्रण द्वार, या फ़्लोटिंग पॉइंट गेट्स के माध्यम से बनाई जाती हैं, और बिट्स में विभिन्न मात्रा में जानकारी संग्रहीत कर सकती हैं। इस स्थान और इन सेल को पढ़ने / लिखने वाले चक्रों की संख्या के आधार पर, हम विभिन्न प्रकार की NAND यादों को वर्गीकृत कर सकते हैं:
- एसएलसी ( सिंगल-लेवल सेल ), प्रत्येक सेल में एक बिट स्टोर करें। इसके लिए धन्यवाद, उनके पास साइकिल की उच्चतम संख्या और उच्चतम गति है, लेकिन यह उत्पादन करने के लिए भी बहुत महंगा है। इसमें आमतौर पर औद्योगिक अनुप्रयोग होते हैं। MLC ( मल्टी-लेवल सेल ), प्रत्येक सेल में दो बिट्स स्टोर करें। इसके कारण, इस प्रकार की मेमोरी सपोर्ट को पढ़ने और लिखने का चक्र एसएलसी से दोगुना है, लेकिन वे अपनी गति बनाए रखते हैं और उत्पादन करने के लिए सस्ते होते हैं। वे औद्योगिक सेटिंग्स में उपयोग किए जाते हैं, लेकिन उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में भी। टीएलसी ( ट्रिपल-लेवल सेल ), वे प्रत्येक सेल में तीन बिट्स स्टोर करते हैं। कम उत्पादन लागत के कारण घरेलू बाजार में यह बहुत आम है। उनके पास एमएलसी या एसएलसी की तुलना में कम स्थायित्व है, साथ ही कम गति भी है। QLC ( क्वाड-लेवल सेल ), प्रति सेल चार बिट तक स्टोर होता है। वे सबसे कम गति, स्थायित्व और सबसे कम उत्पादन लागत की पेशकश करते हैं।
ऊर्ध्वाधर नंद और 3 डी-नंद
NAND की अवधारणाएं और प्रकार अब तक आते हैं, अधिकांश भाग के लिए, इस प्रकार की तकनीक के गर्भाधान से। कुछ साल पहले अच्छी क्षमता, स्थायित्व और गति की एक NAND मेमोरी स्टोरेज यूनिट का उत्पादन अपने DIE के क्षैतिज विस्तार के कारण बहुत महंगा था। वर्तमान में, यह विस्तार लंबवत रूप से किया जाता है।
इस पद्धति के लिए धन्यवाद, MLC या TLC (अपेक्षाकृत अच्छी गति और स्थायित्व के साथ उत्पादन करने के लिए सस्ती) के रूप में कोशिकाओं को बड़ी संख्या में कुशलता से वर्गीकृत किया जा सकता है, उनकी गति या स्थायित्व को कम किए बिना बड़ी क्षमता भंडारण इकाइयों का उत्पादन करने का प्रबंधन।
सैमसंग इस तकनीक का बड़े पैमाने पर उपयोग करने वाली पहली कंपनियों में से एक था (जिसका नाम उनके द्वारा VNAND रखा गया था), लेकिन अन्य उद्योग दिग्गज जैसे माइक्रोन, या इंटेल (3D Xpoint) ने अपने स्वयं के संस्करण विकसित किए हैं।
नंद यादों के विभिन्न अनुप्रयोग
नंद फ्लैश हमारे वातावरण में सभी प्रकार के भंडारण उपकरणों में उनकी दक्षता और उच्च गति के कारण पाए जाते हैं; यही कारण है कि हम इसे घरेलू, घरेलू और व्यावसायिक दोनों सेटिंग्स में पा सकते हैं।
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जैसा कि हो सकता है, हम आशा करते हैं कि यह पोस्ट नंद की यादें क्या है और उनके लिए क्या उपयोग किया जाता है, इस पोस्ट ने आपको इस तकनीक को बेहतर ढंग से समझने में मदद की है जो कि हम हर दिन उपयोग होने वाले उपकरणों पर इतना जोर देते हैं।
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