यूके iii-v मेमोरी, मेमोरी नं

यूके में लैंकेस्टर यूनिवर्सिटी के शोधकर्ताओं ने एक प्रकार की गैर-वाष्पशील फ्लैश मेमोरी बनाने के अपने प्रयासों में सफलता हासिल की है जो DRAM जितनी तेज है लेकिन केवल 1% ऊर्जा का उपयोग करता है जिसे आधुनिक NAND या DRAM मेमोरी की आवश्यकता है। डेटा बिट्स लिखने के लिए। मेमोरी को यूके III-V मेमोरी कहा जाता है।

यूके III-V मेमोरी, गैर-वाष्पशील मेमोरी जितनी तेजी से DRAM की 100 गुना कम खपत होती है

20nm लिथोग्राफिक प्रक्रिया में निर्मित द्वार के लिए -17 जूल की शक्ति के लिए आवश्यक ऊर्जा का उपयोग लगभग 10 है। यूके III-V मेमोरी ट्रांजिस्टर में आम तौर पर ऑफ स्टेट होगा, और एक गेट चार्ज 3ns लेने के साथ लगभग 5ns लगेगा, दोनों आंकड़े बहुत सम्मानजनक हैं। नियंत्रक के जुड़ने के बाद ये आंकड़े कुछ हद तक अधिक होने की संभावना है, लेकिन यह कि प्राप्त दक्षता के लिए मुआवजे के लायक होगा।

विकास अभी भी सरल ट्रांजिस्टर चरण में है, इसलिए इसे पूर्ण वाणिज्यिक उत्पाद में अनुवाद करना अभी भी एक लंबा रास्ता तय करना है। हालांकि, गैर-वाष्पशील स्मृति के निर्माण की उपलब्धि जो DRAM के साथ प्रतिस्पर्धा करने के लिए कुशल और तेज है, काफी उपलब्धि है।

डीआरएएम के रूप में तेजी से गैर-वाष्पशील मेमोरी होना दिलचस्प है क्योंकि इसका उपयोग पीसी बनाने के लिए किया जा सकता है जो कि हम वर्तमान में रैम में स्टोर किए गए डेटा को रख सकते हैं जब सिस्टम पूरी तरह से संचालित होता है और इसलिए इसे एक पल में फिर से शुरू किया जा सकता है जहां से इसे छोड़ा गया था। एक पूर्ण बंद राज्य से। यह स्लीप स्टेट्स की आवश्यकता को समाप्त कर देगा और सिस्टम को निष्क्रिय होने पर रैम को बंद करने की अनुमति देगा, जिससे बिजली की खपत कम होगी।

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यह सवाल जो दिमाग में आता है कि क्या यूके III-V मेमोरी उन दोहराए गए पुनर्लेखनों को संभाल सकती है जो DRAM आमतौर पर गुजरती हैं। यदि पहनने और आंसू एक समस्या है, तो यह गैर-वाष्पशील रैम के साथ कंप्यूटर के किसी भी सपने को कुचल सकता है।

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