तोशिबा ने 64-लेयर 3 डी फ्लैश मेमोरी यूएफएस डिवाइस का खुलासा किया

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तोशिबा के नए यूएफएस डिवाइस 64-लेयर बीसीएसएस फ्लैश 3 डी फ्लैश मेमोरी पर आधारित हैं और यह चार कैपेसिटी में उपलब्ध होंगे: 32 जीबी, 64 जीबी, 128 जीबी और 256 जीबी ।
BiCS FLASH 64-लेयर 3D फ़्लैश मेमोरी का उपयोग करता है
मेमोरी सॉल्यूशंस में विश्व में अग्रणी तोशिबा मेमोरी अमेरिका ने अपने उन्नत 64-लेयर बीसीएसएस फ्लैश 3 डी मेमोरी का उपयोग करके यूएफएस यूनिवर्सल फ्लैश स्टोरेज उपकरणों का परीक्षण शुरू कर दिया है।
सभी चार डिवाइस JEDEC UFS Ver। 2.1 के साथ संगत हैं, जिसमें HS-GEAR3 भी शामिल है, जिसमें बिजली की खपत को प्रभावित किए बिना प्रति ट्रैक (G2 पटरियों = 11.6 Gbps) तक 5.8 Gbps तक की सैद्धांतिक इंटरफ़ेस गति है। 64GB डिवाइस का क्रमिक पढ़ने और लिखने का प्रदर्शन क्रमशः 900MB / सेकंड और 180MB / सेकंड है।
जब यह बेतरतीब ढंग से पढ़ने और लिखने के प्रदर्शन की बात आती है, तो यह निर्माता की पिछली पीढ़ी के उपकरणों की तुलना में लगभग 200 और 185 प्रतिशत बेहतर है। अपने सीरियल इंटरफेस के कारण, यूएफएस पूर्ण डुप्लेक्स प्रिंटिंग का समर्थन करता है, जिससे मेजबान प्रोसेसर और यूएफएस डिवाइस के बीच एक साथ पढ़ने और लिखने दोनों की अनुमति मिलती है।
तोशिबा 3 डी फ्लैश मेमोरी तकनीक की घोषणा करने वाली दुनिया की पहली कंपनी थी, और 3 डी-आधारित यूएफएस के अलावा कंपनी बीसीएसएस फ्लैश समाधानों की अपनी मौजूदा सीमा को बढ़ाते हुए, कंपनी को नवीनता के मामले में सबसे आगे रखती है।
टीएमए-प्रबंधित फ्लैश मेमोरी उत्पादों के निदेशक स्कॉट बीकमैन ने कहा , "हमारे उद्योग के अग्रणी बायसीएस फ्लैश तकनीक को यूएफएस में लाकर, हम अपने एकीकृत भंडारण समाधान की क्षमताओं का विस्तार करना जारी रखते हैं।"
तोशिबा दुनिया का सबसे बड़ा और सबसे उन्नत फ्लैश मेमोरी फैक्टरी बनाता है

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तोशिबा और wd टीम फ्लैश मेमोरी के निर्माण में निवेश करती है
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