तोशिबा अपनी एक्सएल तकनीक के साथ चुनने के लिए खड़ा है

तोशिबा ने फ्लैश मेमोरी समिट में घोषणा की कि यह 3 डी एक्स्ट्रा लार्ज-फ्लैश तकनीक विकसित कर रहा है, जिसमें कम-विलंबता 3 डी नंद मेमोरी बनाने पर ध्यान केंद्रित किया गया है जो उभरते हुए ऑप्टेन और 3 डी एक्सपॉइंट मेमोरी प्रौद्योगिकियों के साथ प्रतिस्पर्धा कर सकता है। तोशिबा का कहना है कि कम-विलंबता नंद मेमोरी के लिए नया दृष्टिकोण वर्तमान उपभोक्ता नंद टीएलसी मूल्य के विलंबता मूल्यों को केवल 1/10 तक कम कर सकता है।

XL-Flash तकनीक 3D-NAND मेमोरी लेटेंसी को बेहतर बनाने का वादा करती है

XL-Flash के साथ एक अपडेटेड NAND आर्किटेक्चर सैमसंग के Z-NAND तकनीक के साथ जो काम कर रहा है, उसके बराबर हो सकता है, जिसमें Optane की तुलना में उत्पादन लागत कम हो सकती है । तोशिबा अपनी BiCS फ्लैश तकनीक का उपयोग करेगा, लेकिन प्रदर्शन में सुधार के लिए XL-Flash को कम से कम शुरुआत में, SLC परिनियोजन में तैनात किया जाएगा, (QLC के 30 माइक्रोसेकंड प्रति प्रतिक्रिया समय के 7 माइक्रोसेकंड)। बेशक, यह भंडारण घनत्व को कम करेगा, लेकिन याद रखें कि लक्ष्य ऑप्टेन की तरह प्रदर्शन और समान या बेहतर घनत्व कम कीमत पर पेश करना है।

तोशिबा ने प्रदर्शन को बढ़ाने के लिए जो कदम उठाए हैं उनमें बिट लाइन और शब्द लाइनों को छोटा करना, कोशिकाओं के बीच आंतरिक संबंध, या कोशिकाओं के बीच छोटे रास्ते का मतलब कम विलंबता और बेहतर प्रदर्शन शामिल हैं। इसके अतिरिक्त, समानता और प्रदर्शन को अधिक फ्लैश विमानों, स्वतंत्र क्षेत्रों को जोड़कर बढ़ाया गया है जो एक साथ डेटा अनुरोधों का जवाब दे सकते हैं।

XL-Flash को उच्च-घनत्व QLC ड्राइव में कैश मेमोरी के रूप में उपयोग करने की उम्मीद है, साथ ही साथ स्टैंडअलोन उत्पाद जो इंटेल के ऑप्टेन मेमोरी द्वारा की पेशकश करने की कोशिश कर रहे हैं।

तोशिबा एक्सएल-फ्लैश पहल के साथ महत्वाकांक्षी लगता है, और इसे दुनिया के सबसे बड़े स्मृति निर्माताओं में से एक होना चाहिए।

Techpowerup फ़ॉन्ट