Sk hynix में पहले से 72 लेयर और 512 gb नंद चिप हैं
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एसके हाइनिक्स ने घोषणा की है कि इसमें पहले से ही 512-जीबी की क्षमता के साथ 72-परत 3 डी नंद मेमोरी चिप्स हैं, यह आपको बहुत प्रतिस्पर्धी कीमतों पर वर्तमान डिस्क की तुलना में बहुत अधिक क्षमता के साथ नए एसएसडी ड्राइव बनाने की अनुमति देगा।
72-परत, 512GB नंद चिप्स के साथ नई SK Hynix SSDs
ये नए SK Hynix 72-layer, 512 Gb चिप्स को नए फर्मवेयर और SK Hynix कंट्रोलर के साथ मिलकर बनाया जाएगा ताकि 2.5 इंच के प्रारूप और प्रदर्शन के साथ 4TB तक की क्षमता वाले नए SSD बनाए जा सकें जो 560MB तक पहुंचते हैं / s और 515 MB / s क्रमिक पढ़ने और क्रमिक लेखन में क्रमशः। यादृच्छिक प्रदर्शन 98, 000 IOPS और 32, 000 IOPS पढ़ने और लिखने में पहुंचता है, इसलिए हम शुद्ध प्रदर्शन के मामले में बहुत सक्षम डिस्क के बारे में बात कर रहे हैं।
एसएसडी टीएलसी बनाम एमएलसी यादों के साथ ड्राइव करता है
यह सब करने के लिए, पीसीआई एक्सप्रेस प्रारूप और 512 जीबी और 72 परतों की एक ही मेमोरी तकनीक के साथ व्यापार क्षेत्र के लिए नए डिस्क जोड़े जाएंगे, ये डिस्क 1 टीबी की क्षमता तक पहुंच जाएंगे और 2, 700 एमबी की गति को पढ़ने और लिखने की गति होगी / s और 1, 100 MB / s जबकि इसकी यादृच्छिक विशेषताएं 230, 000 IOPS और 35, 000 IOPS तक पहुंच जाएंगी।
ये उच्च घनत्व वाले 512 जीबी चिप्स प्रत्येक सिलिकॉन वेफर के प्रदर्शन को बहुत अधिक कर देंगे, इसलिए उत्पादन लागत कम होगी और उपयोगकर्ता को बहुत अधिक आकर्षक अंतिम बिक्री मूल्य के साथ उत्पाद पेश करना संभव होगा।
हेक्सस फ़ॉन्टWd पहले 64-लेयर 3 डी नंद ssd की घोषणा करता है
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WD पहले 64-लेयर 3D NAND SSDs की घोषणा करता है। इस प्रकार की मेमोरी के साथ नए एसएसडी के लॉन्च के बारे में अधिक जानकारी प्राप्त करें।
Sk hynix पहले से ही अपने 96 लेयर qlc 4d नंद फ्लैश मेमोरी की आपूर्ति करता है
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SK Hynix इसकी 4D NAND तकनीक को कहता है क्योंकि यह 3D चार्ज ट्रैप फ्लैश (CTF) और परिधि के तहत सेल (PUC) तकनीक के संयोजन का उपयोग करता है।
Sk hynix पहले से ही 128-लेयर 3D नंद के साथ अपने पहले उत्पादों का परीक्षण कर रहा है
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एसके हाइनिक्स ने इस सप्ताह घोषणा की कि उसने 128-परत 3 डी नंद फ्लैश मेमोरी के आधार पर पहले उत्पादों का परीक्षण शुरू कर दिया है।