Sk hynix ने अपनी 460 gb / s बैंडविड्थ hbm2e यादों की घोषणा की

SK Hynix ने आज घोषणा की कि इसने उद्योग में उच्चतम बैंडविड्थ HBM2E DRAM विकसित किया है। नई HBM2E में पिछले HBM2E की तुलना में लगभग 50% अधिक बैंडविड्थ और 100% अतिरिक्त क्षमता है।

Hynix ने 2020 के लिए HBME2 यादों के उत्पादन की घोषणा की

SK Hynix HBM2E 1, 024 डेटा I / O (इनपुट्स / आउटपुट्स) के साथ 3.6 जीबीपीएस (प्रति सेकंड गीगाबिट्स) की गति के आधार पर बैंडविड्थ के प्रति सेकंड 460 जीबी (गीगाबाइट) पर समर्थन करता है । TSV (सिलिकॉन वाया के माध्यम से) तकनीक का उपयोग करते हुए, अधिकतम आठ 16-गीगाबिट चिप्स खड़ी खड़ी होती हैं, जो 16 जीबी डेटा क्षमता का एकल, घना पैकेज बनाती है।

SK Hynix HBM2E चौथे औद्योगिक युग के लिए एक इष्टतम मेमोरी सॉल्यूशन है, जो उच्च-स्तरीय GPU, सुपर कंप्यूटर, मशीन लर्निंग और आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस सिस्टम को सपोर्ट करता है, जिन्हें उच्चतम स्तर के मेमोरी परफॉर्मेंस की आवश्यकता होती है। डीआरएएम उत्पादों के विपरीत, जो मॉड्यूल पैकेज का रूप लेते हैं और सिस्टम बोर्ड पर लगे होते हैं, एचबीएम चिप को प्रोसेसर जैसे जीपीयू और लॉजिक चिप के साथ निकटता से जोड़ा जाता है, केवल, m की कुछ इकाइयों को अलग करके, के लिए अनुमति देता है और भी तेजी से डेटा हस्तांतरण।

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क्या इसे भविष्य के ग्राफिक्स कार्डों में लागू किया जाएगा? समय ही बताएगा। हम आपको अवगत कराते रहेंगे।

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