Sk hynix ने 1ynm में बनाए गए अपने नए 8gb रन ddr4 मेमोरी की घोषणा की

मेमोरी की दिग्गज कंपनी SK Hynix ने अपनी 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM मेमोरी के विकास की घोषणा की है, जिसका अर्थ है कि इसे 14nm और 16nm लिथोग्राफी का उपयोग करके निर्मित किया जा सकता है। नई चिप अपनी पिछली पीढ़ी के 1Xnm समकक्ष की तुलना में उत्पादकता में 20% सुधार प्रदान करती है और बिजली की खपत में 15% से अधिक सुधार भी करती है।

नई SK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 रैम

नया SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM 3, 200 एमबीपीएस तक की डेटा ट्रांसफर दर का समर्थन करता है, जो कंपनी का कहना है कि DDR4 इंटरफ़ेस पर सबसे तेज़ डेटा प्रोसेसिंग स्पीड है। SK Hynix ने '4-चरण टाइमिंग' योजना को अपनाया है , जो डेटा ट्रांसफर की गति और स्थिरता को बढ़ाने के लिए घड़ी सिग्नल की नकल करती है।

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SK Hynix ने बिजली की खपत और डेटा त्रुटियों को कम करने के लिए अपने घर में विकसित " Sense Amp Control " तकनीक की शुरुआत की। इस तकनीक के साथ, कंपनी संवेदी एम्पलीफायर के प्रदर्शन में सुधार करने में सक्षम थी। एसके हाइनिक्स ने डेटा त्रुटियों की संभावना को कम करने के लिए ट्रांजिस्टर की संरचना में सुधार किया, एक चुनौती जो प्रौद्योगिकी में कमी के साथ होती है । अनावश्यक ऊर्जा की खपत से बचने के लिए कंपनी ने सर्किट में कम बिजली की आपूर्ति भी जोड़ी।

1Gn और 8Gb DDR4 DRAM में SK Hynix के वाइस प्रेसिडेंट सीन किम के शब्दों में कंपनी के ग्राहकों के लिए अनुकूलतम प्रदर्शन और घनत्व है । एसके हाइनिक्स ने बाजार की मांग का सक्रिय रूप से जवाब देने के लिए अगले साल की पहली तिमाही से शिपिंग शुरू करने की योजना बनाई है। SK Hynix सर्वर और पीसी के लिए अपनी 1Ynm प्रौद्योगिकी प्रक्रिया की पेशकश करने की योजना बना रहा है, और फिर अन्य अनुप्रयोगों जैसे मोबाइल उपकरणों के लिए।

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