सैमसंग 10nm ddr4 मेमोरी के बड़े पैमाने पर उत्पादन की पुष्टि करता है

सैमसंग ने DDR4 DRAM मेमोरी के बड़े पैमाने पर उत्पादन की शुरुआत 8 गिबागिट के घनत्व और इसकी दूसरी पीढ़ी के 10nm FinFET प्रक्रिया के साथ होने की पुष्टि की है, जो ऊर्जा दक्षता और प्रदर्शन के नए स्तरों की पेशकश करेगा।

सैमसंग 10nm DDR4 मेमोरी की अपनी दूसरी पीढ़ी के बारे में बात करता है

सैमसंग की नई 10nm और 8Gb DDR4 मेमोरी पिछली 10 एन पीढ़ी की तुलना में 30 प्रतिशत अधिक उत्पादकता प्रदान करती है, साथ ही इसमें 10 प्रतिशत अधिक प्रदर्शन और 15 प्रतिशत अधिक ऊर्जा दक्षता है, सभी धन्यवाद उन्नत पेटेंट सर्किट डिजाइन प्रौद्योगिकी का उपयोग करना।

नया डेटा डिटेक्शन सिस्टम प्रत्येक सेल में संग्रहीत डेटा के अधिक सटीक निर्धारण को सक्षम करता है, जो स्पष्ट रूप से सर्किट एकीकरण और विनिर्माण उत्पादकता के स्तर में काफी वृद्धि की ओर जाता है। 10nm मेमोरी की यह दूसरी पीढ़ी आवारा कैपेसिटेंस को कम करने के लिए अपनी बिट लाइनों के चारों ओर एक एयर स्पेसर का उपयोग करती है, इससे न केवल उच्च स्तर की स्केलिंग होती है, बल्कि तेजी से सेल ऑपरेशन भी होता है।

“DRAM सर्किट की डिजाइन और प्रक्रिया में नवीन तकनीकों को विकसित करके, हमने DRAM की स्केलेबिलिटी के लिए एक बड़ा अवरोधक बन गया है। दूसरी पीढ़ी के 10nm वर्ग DRAM, हम अपने समग्र 10nm DRAM उत्पादन को और अधिक आक्रामक रूप से विस्तारित करेंगे, मजबूत बाजार की मांग को समायोजित करने और अपनी व्यावसायिक प्रतिस्पर्धा को मजबूत करने के लिए जारी रखेंगे। ”

“इन उपलब्धियों को सक्षम करने के लिए हमने यूरोपीय संघ की प्रक्रिया के उपयोग के बिना, नई तकनीकों को लागू किया है। यहाँ नवाचार में एक अत्यंत संवेदनशील सेल डेटा डिटेक्शन सिस्टम और एक प्रगतिशील 'एयर स्पेसर्स स्कीम' का उपयोग शामिल है।"

फुदजिला फ़ॉन्ट