माइक्रोन 2019 में प्रति सेल 8-बिट नंद olc यादें बनाने के लिए

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माइक्रोन में 8 घनत्व स्तरों के साथ नई नंद फ्लैश ओएलसी यादें तैयार करने की सुविधा है
माइक्रोन इस जानकारी से इनकार करने के लिए सामने आया है, लेकिन Wccftech दृढ़ है

माइक्रोन पहले से ही नंद फ्लैश ओएलसी यादों की अगली पीढ़ी पर काम कर रहा है, जो उच्च डेटा घनत्व के लिए 8 नंद स्तरों की पेशकश करेगा।

माइक्रोन में 8 घनत्व स्तरों के साथ नई नंद फ्लैश ओएलसी यादें तैयार करने की सुविधा है

मई 2018 में, माइक्रोन ने चार-स्तरीय नंद (QLC) तकनीक लॉन्च की और, आश्चर्यजनक रूप से, इसके शेयर 30 के नीचे मूल्य स्तर पर गिर गए। यह एनएएनडी मेमोरी और आपूर्ति और मांग कारकों के जटिल लागत स्तर के कारण था, न कि केवल क्यूएलसी तकनीक की शुरूआत। अब माइक्रोन का इरादा अपनी NAND ऑक्टा-लेवल (OLC) यादों को पहली तिमाही में या फिर बाद में 2019 की दूसरी तिमाही की तुलना में जारी करने का है।

माइक्रोन इस जानकारी से इनकार करने के लिए सामने आया है, लेकिन Wccftech दृढ़ है

हालाँकि, Wccftech को इस जानकारी की पुष्टि करने वाला एक नया स्रोत प्रतीत होता है, यह दावा करते हुए कि एक माइक्रोन साथी ने उन्हें बताया है कि वे 2019 की पहली छमाही में NAND फ़्लैश OLC यादों की घोषणा करने की योजना बना रहे हैं, इस प्रकार यह जानकारी की सत्यता की पुष्टि करता है।

वर्तमान में, एनएंडडी फ्लैश ओएलसी मेमोरी की घोषणा भी नहीं की गई थी, इसलिए स्रोत न केवल इसके अस्तित्व को प्रकट कर रहा है, बल्कि इसकी अनुमानित रिलीज की तारीख भी बता रहा है।

माइक्रोन की नंद फ्लैश ओएलसी तकनीक QLC (प्रति सेल) पर 100% वृद्धि के लिए 8 बिट प्रति सेल की पेशकश करेगी और अनिवार्य रूप से 1 बाइट प्रति सेल की सुविधा देने वाली पहली तकनीक होगी। घनत्व में यह उछाल कुछ ऐसा है जो मूर के नियम से अधिक होगा (यह मानते हुए कि सेल का आकार बहुत अधिक नहीं बढ़ता है) और उद्योग के लिए एक धक्का होगा और प्रतिस्पर्धा में कुछ इसी तरह आने के लिए मजबूर करेगा। समान आकार बनाए रखते हुए डेटा घनत्व में वृद्धि से एसएसडी की कीमतों में भी सुधार होना चाहिए और उच्च क्षमता वाली ठोस ड्राइव को देखना चाहिए।