3 डी नंद मेमोरी 2020 में 120 परतों तक पहुंच जाएगी

एप्लाइड मैटेरियल्स के सीन कांग ने जापान में इंटरनेशनल मेमोरी वर्कशॉप (आईएमडब्ल्यू) में 3 डी नंद फ्लैश की अगली पीढ़ियों के बारे में बात की है । रोडमैप कहता है कि इस प्रकार की मेमोरी में परतों की संख्या 140 से अधिक होनी चाहिए, उसी समय चिप्स पतली होनी चाहिए।

3 डी नंद मेमोरी में अग्रिम 120 टीबी एसएसडी को सक्षम करेगा

3 डी नंद मेमोरी में मेमोरी सेल एक विमान पर नहीं, बल्कि एक-दूसरे के ऊपर कई परतों में होती हैं । इस प्रकार, चिप की क्षमता (सरणी) प्रति चिप क्षेत्र को बढ़ाए बिना या अनुबंधित होने वाली कोशिकाओं के बिना काफी बढ़ सकती है। लगभग पांच साल पहले पहला 3 डी नंद दिखाई दिया, सैमसंग की पहली पीढ़ी का वी-नंद जिसमें 24 परतें थीं । अगली पीढ़ी में, 32 परतों का उपयोग किया गया, फिर 48 परतें। वर्तमान में, अधिकांश निर्माता 64 परतों तक पहुंच गए हैं, एसके हाइनिक्स 72 परतों के साथ होता है।

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इस वर्ष का रोडमैप 90 से अधिक परतों की बात करता है, जिसका अर्थ है 40 प्रतिशत से अधिक की वृद्धि । इसी समय, एक भंडारण ढेर की ऊंचाई केवल 20%, 4.5 माइक्रोन से लगभग 5.5 तक बढ़नी चाहिए। ऐसा इसलिए है, क्योंकि एक ही समय में, एक परत की मोटाई लगभग 60nm से लगभग 55nm तक कम हो जाती है । 2015 में पहले से ही माइक्रोन द्वारा उपयोग की जाने वाली मेमोरी सेल डिज़ाइन और CMOS अंडर ऐरे (सीयूए) तकनीक के अनुकूलन इस पीढ़ी की प्रमुख विशेषताएं हैं।

कंग का रोडमैप 120 से अधिक परतों में 3 डी नंद के लिए अगला कदम देखता है, जिसे 2020 तक पूरा किया जाना है । 2021 तक, 140 से अधिक परतें और 8 माइक्रोन की एक स्टैकिंग ऊंचाई पूर्वानुमान है, जिसके लिए नई सामग्रियों का उपयोग आवश्यक होगा। रोडमैप भंडारण क्षमता को संबोधित नहीं करता है।

वर्तमान में, निर्माता 64-परत प्रौद्योगिकी के साथ प्रति मैट्रिक्स 512 गीगाबिट तक पहुंच गए हैं। 96 परतों के साथ 768 गिगाबिट को शुरू में हासिल किया जाएगा और 128 परतों के साथ अंततः 1024 गीगाबिट होगा, इसलिए लगभग एक टेराबिट संभव है । चार-बिट प्रति सेल QLC तकनीक 96-परत संरचना के साथ टेराबिट चिप्स को भी सक्षम कर सकती है। सैमसंग वी-नंद की पांचवीं पीढ़ी के साथ इसे प्राप्त करना चाहता है और इस आधार पर पहले 128 टीबी एसएसडी को पेश करता है।

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