वैनेडियम डाइऑक्साइड इलेक्ट्रॉनिक्स में क्रांति ला सकता है

Lecole Polytechnique Fédérale de Lausanne के वैज्ञानिक वेनेडियम डाइऑक्साइड (VO2) में देखे जाने वाले गुणों और संभावनाओं से उत्साहित हैं, जो सिलिकॉन को मात दे सकते हैं और इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों की एक नई पीढ़ी का नेतृत्व कर सकते हैं।

वैनेडियम डाइऑक्साइड नई तकनीकी क्रांति होगी

Lecole Polytechnique Fédérale de Lausanne के वैज्ञानिकों ने वैनेडियम डाइऑक्साइड के लिए विशेष रूप से अंतरिक्ष संचार प्रणाली, न्यूरोमाफिक कंप्यूटिंग और उच्च आवृत्ति वाले राडार के क्षेत्र में महान अवसर देखे। यह तत्व कमरे के तापमान पर एक इन्सुलेटर के रूप में व्यवहार करता है लेकिन 68 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर एक कंडक्टर के रूप में।

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यह परिवर्तन इसलिए होता है क्योंकि उस तापमान पर सामग्री क्रिस्टलीय से एक धातु परमाणु संरचना में बदल जाती है, जिसे "धातु-इन्सुलेटर संक्रमण" या लघु के लिए एमआईटी के रूप में जाना जाता है। यह बदलाव एक नैनोसेकंड से कम है जो इसे इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए एक आकर्षक संपत्ति बनाता है।

इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोगी होने के लिए यह परिवर्तन बहुत कम तापमान पर होता है, हालांकि, ईपीएफएल शोधकर्ताओं ने जर्मेनियम को VO2 में जोड़कर इसे 100 डिग्री सेल्सियस से ऊपर के तापमान पर बनाने में कामयाबी हासिल की है ।

इसके अलावा, VO2 अन्य कारकों के प्रति भी संवेदनशील है जो इसके चरण परिवर्तन को प्रेरित कर सकते हैं, इसका एक उदाहरण विद्युत ऊर्जा का इंजेक्शन है या एक THz विकिरण नाड़ी को लागू करना है । अनुसंधान परियोजना कम से कम 2020 तक जारी रहेगी और यूरोपीय संघ के वित्त पोषण में € 3.9 मिलियन से सम्मानित किया गया है।

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