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एसएसडी टीएलसी बनाम एमएलसी यादें

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Anonim

2004 और 2005 के बीच बड़ी फ्लैश मेमोरी में उछाल आया, जब दो कारकों के संयोजन के कारण प्रति मेगाबाइट की कीमतों में तेजी से गिरावट आई। जहां स्मार्टफोन और एसएसडी डिस्क में कमी दिखाई देने लगी थी, लेकिन केवल समय बीतने से हमें अधिक आकर्षक कीमतें मिली हैं, हालांकि हाल ही में ऐसा लगता है कि वे काम के कारण नहीं हैं और वे फिर से कीमतें बढ़ाते हैं। क्या आप टीएलसी बनाम एमएलसी यादों के बीच अंतर जानना चाहते हैं? हम आपको वह सब कुछ समझाते हैं जो आपको जानना चाहिए!

सूचकांक को शामिल करता है

एसएसडी टीएलसी बनाम एमएलसी यादों के साथ ड्राइव करता है

पहले निर्माताओं के बीच उत्पादन और प्रतिस्पर्धा में क्रूर वृद्धि थी, जिसने कीमतों को नीचे धकेल दिया है। सैमसंग और तोशिबा जैसे दिग्गजों के अलावा , यहां तक ​​कि इंटेल और एएमडी ने फ्लैश मेमोरी के निर्माण में बड़ी मात्रा में पैसा लगाया है।

दूसरा एमएलसी (मल्टी-लेवल सेल) तकनीक की शुरुआत थी, जहां प्रत्येक सेल सिर्फ एक के बजाय दो बिट्स स्टोर करने के लिए चला गया। यह मध्यवर्ती वोल्टेज के उपयोग के लिए संभव था। एमएलसी प्रौद्योगिकी को विभिन्न निर्माताओं द्वारा एक साथ कम या ज्यादा लागू किया गया है, और प्रति मेगाबाइट की लागत को आधे से कम कर दिया है, लेकिन इसके परिणामस्वरूप कम मेमोरी के साथ फ्लैश मेमोरी चिप्स और कम तेज़ी से गिरावट आई है। ।

आज, MLC चिप्स USB स्टिक्स, मेमोरी कार्ड और SSDs के विशाल बहुमत में उपयोग किए जाते हैं। पारंपरिक चिप्स, जो प्रति सेल एक बिट स्टोर करते हैं, को "एसएलसी" (सिंगल-लेवल सेल) कहा जाता है, और उच्च-प्रदर्शन ठोस राज्य ड्राइव (विशेष रूप से मॉडल के लिए इरादा किए गए) के लिए बाजार की सेवा के उद्देश्य से उत्पादित किए जाते हैं। सर्वर बाजार)। हालांकि बहुत अधिक महंगा है, वे बेहतर प्रदर्शन की पेशकश करते हैं और अधिक टिकाऊ होते हैं

दूसरे चरम पर, हमारे पास टीएलसी चिप्स से लैस इकाइयाँ हैं, जो प्रति एमएलसी की तरह दो के बजाय तीन बिट्स स्टोर करती हैं, और इसलिए प्रति गीगाबाइट प्रति निर्माण लागत को 33% से अधिक कम करती हैं । दूसरी ओर, अधिक मध्यवर्ती वोल्टेज के उपयोग से उन चिप्स का परिणाम होता है जो एमएलसी की तुलना में अधिक तेजी से खराब होते हैं।

एमएलसी और टीएलसी के बीच अंतर

वास्तव में, एक एमएलसी और टीएलसी चिप पर कोशिकाओं के बीच कोई भौतिक अंतर नहीं हैं। दोनों मामलों में, उत्पादन तकनीक लगभग समान है लेकिन उनमें अंतर हैं… लेकिन यह भी कि जिस तरह से चिप को प्रोग्राम किया जाता है। एसएलसी की तुलना में MLC और TLC चिप्स सस्ता क्या है? अंकगणित का एक सरल मामला है: एक 16 गीगाबाइट नंद चिप एक 16 गीगाबाइट एसएलसी चिप, एक 32 गीगाबाइट एमएलसी चिप, या एक टीएलसी चिप को जन्म दे सकती है। 48 गीगाबाइट।

चिप की कुल लागत $ 24 है, तो हमें एमएलसी पर $ 0.75 की प्रति गीगाबाइट और एफटीए पर केवल $ 0.50 की लागत होगी। यदि आप कम कीमत के लिए बड़ी क्षमता वाले एसएसडी बेचने में रुचि रखते हैं, तो यह स्पष्ट होगा कि आप दोनों में से कौन सा विकल्प आपके लिए अधिक आकर्षक होगा।

बड़ी समस्या न केवल स्थायित्व है, बल्कि स्वयं चिप्स का प्रदर्शन भी है, जो अधिक बिट्स के उपयोग के साथ गिरावट आती है। एक एमएलसी चिप पर 50 50 लेने वाला एक रीड ऑपरेशन एक TLC चिप पर 100 50 या उससे अधिक का समय लगेगा।

एक ही समय में, एक MLC चिप पर 900 an या उससे अधिक का एक लिखित ऑपरेशन TLC पर 2000 time से अधिक का समय लेता है, जिसके परिणामस्वरूप ड्राइव्स के पढ़ने और लिखने की गति के अनुपात में गिरावट आती है।

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हालांकि, सबसे बड़ी समस्या स्थायित्व है । MLC चिप्स का जीवनकाल 50nm में केवल 10, 000 चक्र है, जबकि TLC चिप्स में जीवनकाल 50nm में 2, 500 ऑपरेशन है।

यहां तक ​​कि वर्तमान ड्राइवरों द्वारा ड्राइव के जीवनकाल का विस्तार करने के लिए लगाए गए क्षेत्रों और अन्य तकनीकों के उपयोग के साथ, 25nm TLC चिप्स पर आधारित 128GB SSD अपने जीवन भर में केवल 96TB रिकॉर्डिंग ले जाएगा, सीमित इसका उपयोग बहुत ज्यादा है। तुलना के लिए, 34nm MLC चिप्स पर आधारित 128GB डिस्क डिस्क पर 640TB ले जाएगा।

एक MLC डिस्क में अपेक्षाकृत कम जीवनकाल होगा, लेकिन फिर भी स्वीकार्य है अगर हम अन्य क्षेत्रों में मेमोरी ऑफर करने वाले महान लाभों पर विचार करते हैं। हालाँकि, TLC ड्राइव का सीमित उपयोग होगा और कई उपयोग स्थितियों में कई वर्षों के बाद समाप्त हो सकता है मेरा मतलब है, वे बुरे नहीं हैं, ठीक है? लेकिन वे खराब गुणवत्ता के हैं।

टीएलसी मेमोरी के साथ एक एसएसडी पूरी तरह से एक सामान्य उपयोगकर्ता के लिए उपयुक्त है। लेकिन एक एमएलसी में उच्च गुणवत्ता होती है, और वे निर्माताओं के शीर्ष सीमा में मौजूद होते हैं।

कई निर्माताओं ने फ्लैश मेमोरी के प्रदर्शन और बेहतर ड्राइवरों के साथ विश्वसनीयता और एसएसडी के उच्च प्रतिशत के उपयोग में इस गिरावट की भरपाई करने में सक्षम हैं, लेकिन यह केंद्रीय प्रश्न की उपेक्षा नहीं करता है कि निर्माता बदतर फ्लैश मेमोरी चिप्स का उत्पादन कर रहे हैं। प्रत्येक नई पीढ़ी के साथ, लागत के संबंध में केवल प्रगति करना

मल्टी-लेवल सेल (MLC)

एमएलसी आज सबसे ठोस राज्य ड्राइव द्वारा उपयोग किया जाने वाला मानक है। संक्षिप्त नाम मल्टी-लेवल सेल के लिए है, और इसका उपयोग नंद फ्लैश मेमोरी का वर्णन करने के लिए किया जाता है, जिसमें प्रति सेल 2 बिट डेटा स्टोर करने की क्षमता होती है

टीएलसी इस प्रौद्योगिकी का एक विकास है, और प्रति सेल 3 बिट डेटा स्टोर करने की अनुमति देता है, जबकि सिंगल-लेवल सेल (एसएलसी) प्रत्येक सेल के लिए केवल एक बिट डेटा संग्रहीत करता है। हर एक के फायदे और नुकसान हैं, जिसे हम आगे देखेंगे।

एमएलसी प्रकार आज काफी सामान्य है, और इसमें एक प्रक्रिया शामिल है जो मेमोरी सेल स्टोर को दो बिट्स बनाने के लिए विभेदित वोल्टेज का उपयोग करती है (सिद्धांत रूप में, एसएलसी में केवल एक के बजाय इसे अधिक स्टोर करना संभव है)।

एमएलसी तकनीक की बदौलत फ्लैश स्टोरेज डिवाइसों की लागत कम हो गई है, यहां तक ​​कि यूएसबी स्टिक और स्मार्टफोन जैसे उत्पादों की पेशकश भी बढ़ गई है।

ट्रिपल-लेवल सेल (TLC)

नाम ही इसे इंगित करता है: टीएलसी प्रकार प्रति सेल तीन बिट्स संग्रहीत करता है, इसलिए, इकाई में संग्रहीत किए जा सकने वाले डेटा की मात्रा काफी बढ़ जाती है । यह बाजार पर हमारे पास सबसे हालिया मानक है।

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हालांकि, MLC तकनीक की तुलना में प्रदर्शन भी कम है, आखिरकार, हमें तीन बिट्स के साथ आठ संभावित मान मिलते हैं, यही वजह है कि इसमें वोल्टेज की अधिक विविधताएं हैं: 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110 और 111।

यहां, मुख्य लाभ भंडारण स्थान में वृद्धि है, क्योंकि टीएलसी यादें आमतौर पर एमएलसी चिप्स की तुलना में धीमी होती हैं, जो बदले में, एसएलसी तकनीक की तुलना में कम प्रदर्शन करती हैं।

फिर भी, TLC और MLC यादें हार्ड ड्राइव की तुलना में तेज़ हैं, यही वजह है कि उनका उपयोग ज्यादातर अनुप्रयोगों में संभव है: कई स्थितियों में, यह काफी तेज एसएसडी होने की क्षतिपूर्ति नहीं करता है, लेकिन यह एक क्षमता प्रदान नहीं करता है पर्याप्त भंडारण।

फायदे और नुकसान क्या हैं?

टीएलसी तकनीक के साथ ठोस राज्य ड्राइव का महान लाभ उनकी सबसे कम कीमत में है। इसका कारण यह है कि प्रौद्योगिकी के साथ ड्राइव घनी होती है, एक ही स्थान के साथ अधिक डेटा संग्रहीत करते हैं। दूसरे शब्दों में, वे एक उच्च लागत दक्षता रखते हैं। लेकिन यह, जीवन में सब कुछ की तरह, एक कीमत पर आता है।

टीएलसी तकनीक के साथ ठोस राज्य ड्राइव एमएलसी मॉडल के रूप में तेज या टिकाऊ नहीं होते हैं । इसलिए, उन्हें पेशेवर उपयोग के लिए संकेत नहीं दिया जाता है।

दरअसल, टीएलसी सॉलिड स्टेट ड्राइव होम यूजर्स के लिए बेहतर हैं। इस प्रकार के उपयोगकर्ताओं के लिए, कम-से-कम मामलों में कम-से-कम प्रदर्शन अंतर नहीं है।

डेटा को संग्रहीत करने की आपकी क्षमता को खोए बिना आप कितने रिकॉर्डिंग चक्र का समर्थन करते हैं?

यह स्पष्ट है कि सेल द्वारा समर्थित लेखन चक्रों की संख्या इसके उपयोगी जीवन को प्रभावित करती है। लेकिन सौभाग्य से, यह एकमात्र कारक नहीं है। महान महत्व के दो अन्य हैं: आवृत्ति जिसके साथ सेल में निहित मूल्य को संशोधित किया जाता है (जिस आवृत्ति के साथ इसे पढ़ा जाता है उसका उपयोगी जीवन पर कोई प्रभाव नहीं पड़ता है) और जन भंडारण इकाई की क्षमता (हमारे मामले में), एसएसडी या ठोस राज्य उपकरण से) जिसमें यह स्थापित है।

रिकॉर्डिंग संचालन की आवृत्ति का महत्व स्पष्ट है: एक सेल में लिखने के संचालन की आवृत्ति जो थोड़ा उपयोग की गई इकाई के दस हजार लेखन चक्रों का समर्थन करती है या जो स्टैटिक डेटा को संग्रहीत करता है वह छोटा है। इसलिए, यह सेल, दूसरे की तुलना में अधिक समय तक चलेगा, एक ऐसे ड्राइव में इंस्टॉल किया गया है जिसका उपयोग डायनेमिक डेटा को स्टोर करने के लिए किया जाता है, जिनके मान अक्सर बदलते रहते हैं और उन्हें हर समय फिर से लिखना चाहिए।

मेमोरी बैंक के रूप में महत्वपूर्ण है जहां डेटा को एसएसडी पर संग्रहीत किया जाता है, इसके भीतर निहित नियंत्रक है, जो एसएसडी डिस्क और कंप्यूटर के बीच इंटरफेस के रूप में कार्य करता है। यह वह नियंत्रक होता है जो यह तय करता है कि किन कोशिकाओं में डेटा संग्रहीत किया जाएगा

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इन पिछले वर्षों के दौरान जिसमें एसएसडी फैल रहा है, एल्गोरिदम जो निर्धारित करते हैं कि इन कोशिकाओं को क्या पूरा किया जाएगा। नए नियंत्रक SSDs पर उपलब्ध कोशिकाओं के रीड ऑपरेशंस को समरूप रूप से संभव के रूप में वितरित करना चाहते हैं, कुछ कोशिकाओं को दूसरों की तुलना में बहुत अधिक लेखन संचालन प्राप्त करने से रोकते हैं।

SSDs का उपयोग करने के शुरुआती दिनों में, ड्राइव क्षमता में अपेक्षाकृत छोटे थे। 1TB ड्राइव आज आसानी से उपलब्ध हैं। ठीक है, अगर सेल की कुल संख्या जिसमें लेखन संचालन वितरित किया जा सकता है, बहुत वृद्धि हुई है, जिसके साथ प्रत्येक सेल ओवरराइट किया जाता है, इस वृद्धि के प्रत्यक्ष अनुपात में कम हो जाता है।

इसलिए एसएसडी की क्षमता का महत्व इसकी दीर्घायु के संबंध में है । लेकिन फिर भी, एमएलसी-आधारित उपकरणों में एसएलसी-आधारित लोगों की तुलना में बहुत कम उम्र है

एक और महत्वपूर्ण अंतर वह गति है जिसके साथ लेखन संचालन किया जाता है। हालांकि इस बार, पढ़ने के संचालन में बाधा नहीं आती है। आखिरकार, एक वोल्टेज को मापने के लिए यह उन बिंदुओं पर सेंसर लागू करने के लिए पर्याप्त है जहां विद्युत क्षमता में अंतर है। लेकिन लेखन के मामले में, बात अलग है।

इस प्रकार की मेमोरी सेल, जैसा कि देखा जा सकता है, आठ अलग-अलग मूल्यों (000 2 = 010 से 1112 = 710) को स्टोर कर सकती है। साधारण अवलोकन यह दर्शाने के लिए पर्याप्त है कि "लेखन" एक मान (वोल्टेज स्तर को समायोजित करना) बहुत अधिक जटिल है (और इसलिए धीमा) जब संभव मूल्यों की संख्या बढ़ जाती है। और, वोल्टेज रेंज बढ़ने से, ऊर्जा की खपत बढ़ जाती है।

तापमान का मुद्दा

कुछ समय पहले तक, मेमोरी मॉड्यूल ने गर्मी का प्रसार किया था, लेकिन यह कभी चिंता का विषय नहीं था। हालांकि, जब बहु-स्तरीय फ्लैश मेमोरी की बात आती है, तो यह अलग है।

आखिरकार, वे उच्च आवृत्तियों पर काम करते हैं और अपेक्षाकृत उच्च वोल्टेज का उपयोग करते हैं, दो महत्वपूर्ण कारक जब गर्मी अपव्यय की बात आती है, और इसलिए चिप तापमान का उपयोग करते हैं

यह विशेष रूप से नाजुक है जब यह एमएलसी यादों की बात आती है, जहां संग्रहीत मूल्य की पहचान करने वाले आंतरिक वोल्टेज के थ्रेसहोल्ड की संख्या अधिक होती है।

ऐसा इसलिए है क्योंकि बहुत अधिक तापमान इन थ्रेसहोल्ड के साथ हस्तक्षेप कर सकता है, जो संग्रहीत मूल्य को संशोधित करता है और मेमोरी की विश्वसनीयता से पूरी तरह से समझौता करता है।

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परिणाम यह है कि निश्चित रूप से इस प्रकार की स्मृति के ठिकानों के लिए बहुत उच्च परिचालन तापमान पर रखा जाना उचित नहीं है। इस कारण से कुछ उपकरणों (उदाहरण के लिए, कुछ सैमसंग एसएसडी) में तापमान संवेदक होते हैं जो बस लिखने में धीमा कर देते हैं (रीडिंग, हमेशा की तरह, गर्मी लंपटता पर बहुत कम प्रभाव पड़ता है) उन मामलों में जहां ऊपर तापमान होता है 70 डिग्री सेल्सियस और केवल सामान्य ऑपरेशन पर वापस लौटते हैं जब बैंक इस सीमा मूल्य से नीचे शांत होते हैं।

एकल-स्तरीय यादें (एसएलसी) उच्च तापमान के बहुत अधिक सहिष्णु हैं । ऐसा इसलिए है क्योंकि यह केवल दो राज्यों में से एक को ले सकता है, सहिष्णुता तापमान को वोल्टेज थ्रेशोल्ड को थोड़ा बदलने से बहुत अधिक है, इसलिए संग्रहीत मान नहीं बदलता है।

इस प्रकार, एकल-कोशिका एसएसडी, अधिक महंगे, लेकिन उच्च तापमान को समझने वाले, "औद्योगिक" के रूप में वर्गीकृत किए जाते हैं, जबकि एमएलसी, जो कम तापमान सीमा में संचालित होते हैं, को "वाणिज्यिक" के रूप में वर्गीकृत किया जाता है।

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निष्कर्ष

MLC के पास TLC की तुलना में अधिक उपयोगी जीवन है, क्योंकि 4 संभावित वोल्टेज राज्यों को 8 की तुलना में अलग करना आसान है, जिसमें त्रुटि का एक छोटा सा मार्जिन है। यही कारण है कि एक टीएलसी एसएसडी सस्ता है और हम इसे कम और मध्यम श्रेणी के एसएसडी में पाते हैं।

अब हम जानते हैं कि MLC मेमोरी-आधारित SSDs TLCs की तुलना में अधिक महंगे हैं, कम डेटा घनत्व का सामना करते हैं, तेज होते हैं, और अधिक तापमान का सामना कर सकते हैं, लंबी उम्र के साथ और कम बिजली की खपत करते हैं। आप हर चीज के बारे में क्या सोचते हैं? लेख पढ़ने के बाद, आपने हमें पहले ही अपने इंप्रेशन बता दिए हैं!

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