3 डी नंद, wd और kioxia 112-लेयर bics5 यादों की घोषणा करते हैं

पश्चिमी डिजिटल और Kioxia ने आधिकारिक तौर पर BiCS NAND 3D तकनीक की अपनी पांचवीं पीढ़ी का खुलासा किया है, जो TLC या QLC प्रौद्योगिकियों के साथ फ्लैश मेमोरी की 112 परतों को सफलतापूर्वक ढेर कर देता है। इस नवाचार को BiCS5 कहा जाता है, और प्रारंभिक चिप्स 512Gb भंडारण की पेशकश करते हैं।

BICS5 3 डी नंद में अधिक मेमोरी गति और घनत्व प्रदान करता है

यह तकनीक 2020 की दूसरी छमाही तक "महत्वपूर्ण वाणिज्यिक संस्करणों में" उपलब्ध नहीं होगी। जब यह उपलब्ध है, तो इसका उपयोग प्रति चिप 1.33Tb तक की क्षमता में किया जाएगा।

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जब पश्चिमी डिजिटल / Kioxia BiCS4 96-लेयर 3D NAND यादों की तुलना में, BiCS 5 में 112 कुल NAND लेयर्स हैं, जो इस पीढ़ी के साथ 16.67% लेयर बूस्ट की पेशकश करती हैं। सिलिकॉन वेफर प्रति भंडारण घनत्व के लिए के रूप में, BiCS5 कंपनी के BiCS4 की तुलना में 40% अधिक कुल बिट्स प्रदान करता है, एक कारक जो आने वाले वर्षों में नंद के प्रति बिट उत्पादन लागत को कम करेगा।

अन्य डिज़ाइन सुधारों ने पश्चिमी डिजिटल के BiCS5 को अपने पूर्ववर्ती की तुलना में 50% अधिक I / O प्रदर्शन की पेशकश करने में सक्षम किया है, जिससे BiCS5 तेजी से और उच्च भंडारण घनत्व है। एक पीढ़ी के नंद के लिए बुरा नहीं है, हालांकि यह 112-परत नंद के तोशिबा / केओक्सिया के उत्पादन की मात्रा का एक महत्वपूर्ण हिस्सा बनने से कुछ समय पहले होगा।

BiCS5 बिल्कुल वही ऑफर करता है जो बाजार NAND से चाहता है, तेज I / O स्पीड, स्टोरेज के लिए छोटे और सघन चिप्स और कम उत्पादन लागत का वादा करता है। सभी अच्छी खबर, प्रतीक्षा समय को छोड़कर जब तक कि यह आगामी पश्चिमी डिजिटल और अन्य निर्माताओं के उत्पादों पर बड़े पैमाने पर तैनात न हो जाए। हम आपको अवगत कराते रहेंगे।