3 डी नंद qlc, Intel 10 मिलियन सॉलिड स्टेट ड्राइव बनाता है

पिछले हफ्ते, इंटेल मेमोरी और स्टोरेज ग्रुप ने चीन के डालियान में निर्मित NAND डाई QLC पर आधारित 10 मिलियन QLC 3D NAND सॉलिड स्टेट ड्राइव (SSD) का निर्माण किया।

Intel 10 मिलियन 3D NAND QLC सॉलिड स्टेट ड्राइव बनाता है

उत्पादन 2018 के अंत में शुरू हुआ, और यह मील का पत्थर उच्च क्षमता वाले ड्राइव के लिए एक मुख्य प्रौद्योगिकी के रूप में QLC (क्वाड लेवल सेल्युलर मेमोरी) स्थापित करता है।

नीचे हाल ही में Intel द्वारा प्राप्त 3D NAND QLC इकाइयों की कुछ उपलब्धियों का सारांश दिया गया है।

• Intel QLC 3D NAND का उपयोग Intel SSD 660p, Intel SSD 665p और Intel Optane Memory H10 स्टोरेज सॉल्यूशंस में किया जाता है। Intel QLC ड्राइव में प्रति सेल 4 बिट्स हैं और 64 और 96 लेयर NAND कॉन्फ़िगरेशन में डेटा संग्रहीत करता है। Intel का विकास हो रहा है। पिछले एक दशक से यह तकनीक। 2016 में, इंटेल इंजीनियरों ने सिद्ध फ्लोटिंग डोर (एफजी) प्रौद्योगिकी के अभिविन्यास को ऊर्ध्वाधर में बदल दिया और इसे पूर्ण द्वार संरचना में लपेट दिया। परिणामी ट्राइसेल्युलर स्तर (TLC) तकनीक 384 Gb / die को स्टोर कर सकती है। 2018 में, 3 डी क्यूएलसी फ्लैश सच हो गया, प्रति सेल 64 बिट्स के साथ चार बिट्स, 1, 024 जीबी / डाई स्टोर करने में सक्षम। 2019 में इंटेल कुल क्षेत्रफल घनत्व को कम करते हुए 96 परतों में चली गई।

बाजार पर सर्वश्रेष्ठ एसएसडी ड्राइव पर हमारे गाइड पर जाएं

QLC अब इंटेल के समग्र भंडारण पोर्टफोलियो का हिस्सा है, जिसमें ग्राहक और डेटा सेंटर उत्पाद दोनों शामिल हैं।

इंटेल अपने ठोस राज्य ड्राइव के प्रदर्शन से खुश लगता है, विशेष रूप से 660p और 665p मॉडल की सफलता के कारण।